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IXTY1R4N100P IXTA1R4N100P
IXTP1R4N100P
2
1.8
1.6
Fig. 7. Input Admittance
2.4
2
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
1.4
1.2
1.6
25oC
1
0.8
0.6
0.4
T J = 125oC
25oC
- 40oC
1.2
0.8
0.4
125oC
0.2
0
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
5
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
4.5
4
3.5
3
2.5
9
8
7
6
5
V DS = 500V
I D = 0.7A
I G = 10mA
2
1.5
1
0.5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
1,000
100
10
1
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
10
1
0.1
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: T_1R4N100P (2A)4-03-08-A
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